上海維安（WAYON），作為電路保護與功率控制解決方案的領先提供商，專注于電路保護元器件、功率半導體分立器件及模擬集成電路的設計、制造與銷售。其中，其MOS管系列產品在行業內享有盛譽，特別是WMJ36N65F2、WMJ53N65F2及WMJ90N65SR這三款超結MOSFET，憑借其卓越的性能和廣泛的應用領域，深受市場歡迎。以其出色的特性，成為眾多電子工程師和設計師的理想選擇。

WMJ36N65F2

WMJ36N65F2是一款N溝道超結MOSFET，專為高電壓、高功率應用設計。其主要參數包括：

• 封裝：TO-247，這種封裝形式確保了良好的散熱性能和機械強度，適合高功率應用。

• 漏源電壓（VDS）：650V，表明其能承受高達650V的電壓，適用于高壓電路。

• 漏極電流（ID）：在25℃下可達36A，表明其在大電流條件下仍能穩定工作。

• 導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V時，僅為0.105Ω，低導通電阻有助于減少功耗，提高效率。

• 開啟電壓（VGS(th)）：典型值為4V，較低的開啟電壓意味著更低的驅動需求，適用于多種驅動電路。

WMJ36N65F2因其出色的電氣特性和熱穩定性，能夠快速響應電路中的信號變化，從而提升整個系統的工作速度。廣泛應用于開關電源、電機驅動、逆變器及太陽能逆變器等高電壓、大電流場景。

WMJ53N65F2

WMJ53N65F2同樣是上海維安推出的一款高性能N溝道超結MOSFET，其主要特點包括：

• 封裝：同樣采用TO-247封裝，保證了良好的散熱和機械性能。

• 漏源電壓（VDS）：與WMJ36N65F2相同，均為650V，適用于高壓環境。

• 電氣特性：雖然具體參數可能因批次不同而略有差異，但整體性能與WMJ36N65F2相近，適合類似的應用場景。

在導通電阻方面，WMJ53N65F2 進一步優化，實現了更低的阻值，從而在大功率工作條件下依然能夠保持高效的能量轉換。其快速的開關速度和良好的熱穩定性，使其在電源管理、電機驅動等領域表現出色。WMJ53N65F2憑借其優異的電氣性能和穩定性，在電力電子領域有著廣泛的應用，尤其是在需要高可靠性和高效率的電源系統中。

WMJ90N65SR

WMJ90N65SR作為維安MOS管系列中的高端產品，其性能參數更為突出：

• 漏極電流（ID）：在25℃下高達99A，遠高于WMJ36N65F2和WMJ53N65F2，適用于更大電流的應用場景。

• 導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V時僅為0.03Ω，是這三款產品中最低的，進一步降低了導通損耗，提高了系統效率。

• 開啟電壓（VGS(th)）：典型值為3.5V，同樣保持了較低的開啟電壓，便于驅動。

WMJ90N65SR憑借其高電流承載能力和極低的導通電阻，特別適用于對功率要求極高的應用：大功率電源、電動汽車充電站、工業逆變器等高要求的應用領域。

無論是 WMJ36N65F2、WMJ53N65F2 還是 WMJ90N65SR，上海維安在設計和制造過程中都嚴格遵循了高質量標準，確保了產品的穩定性和可靠性。這些 MOS 管不僅在性能上表現出色，而且在封裝形式上也提供了多種選擇，以滿足不同客戶的安裝和使用需求。