肖特基二極管是由貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)制成的金屬半導體器件。)作為正電極，N型半導體作為負電極，并且利用形成在兩者的接觸表面上的勢壘的整流特性。因為在氮型半導體中有大量的電子，而在貴金屬中只有極少量的自由電子，所以電子從高濃度的硼擴散到低濃度的硼。當肖特基二極管建立一定寬度的空間電荷區時，電場引起的電子漂移運動和不同濃度引起的電子擴散運動達到相對平衡，從而形成肖特基勢壘。
肖特基二極管的內部電路結構基于氮型半導體，其上形成摻砷的氮外延層。陽極由鉬或鋁和其他材料制成，以形成阻擋層。二氧化硅(二氧化硅)用于消除邊緣區域的電場并提高管的耐壓性。肖特基二極管具有開關頻率高、正向電壓降低的優點，但其反向擊穿電壓相對較低，大多不高于60V，至多只有100V左右，限制了其應用范圍。
肖特基二極管分為兩種封裝形式：引線和表面貼裝(貼片)。帶引線封裝的肖特基二極管通常用作高頻大電流整流二極管、續流二極管或保護二極管。它提供單管和雙管(雙二極管)封裝。肖特基二極管也有三種引腳引出模式：公共陰極(兩個管的陰極相連)、公共陽極(兩個管的陽極相連)和串聯(一個二極管的陽極與另一個二極管的陰極相連)。表面封裝肖特基二極管包括單管、雙管和三管封裝，有a～19引腳引出方法。
