導語：綠星電子的功率元件可在各式電源與電機驅動應用中實現更高的效率，功率密度和成本效益。 DG-FET?和SuperTrench?產品組合涵蓋20V至200V規格，可同時解決低開關頻率和高開關頻率問題。

DG-FET?介紹

現代科技對運算功率的需求日益增高，云端運算、物聯網及社交媒體等主流趨勢，更是發揮了推波助瀾的作用。能源消耗量因此大增，電源轉換鏈也因此需要更高的能源效率。

與傳統溝槽式MOS比較:

顛覆傳統MOSFET技術的DG-FET?是利用額外的多晶矽閘來達成電荷平衡。藉由電荷平衡的方式，將致使原本MOSFET的空乏區電 場由一維電荷變為由二維的電荷分布所決定。

因此其崩潰電壓將較傳統的溝槽式MOSFET為高。

若將DG-FET?與現今傳統的溝槽式MOSFET相比，為具有相同崩潰電壓之元件，但DG-FET?可以進一步降低磊晶層的阻值，因而可以獲得較低的導通阻抗.

另外，由于開關雜訊更低，因此采用DG-FET?技術也能有效大幅降低汲級電荷。

Silicongear DG-FET?與友商公司Trench關鍵參數MOSFET摘要

1 - MOSFET Gate 加2.2nF 測試啟機狀態次級驅動電壓：

總結：綠星MOSFET,DG-FET系列具有高速開關速度，業界優異的Ron-Crss表現。

由于具有緩沖效應，DG-FET系列可以抑制，比SuperTrench系列更有效地切換噪音和振鈴。RDS（on）導通電阻比其他同類元件至少降低50%，閘電荷（Qg）比其他裝置少50%。

DG-FET?和SuperTrench?產品組合涵蓋20V至200V規格，可同時解決低開關頻率和高開關頻率問題。