LED作為新型照明光源，具有高效節能、工作壽命長等優點，目前已廣泛使用于LED顯示、車用電子、生活照明等各種照明場景。LED恒流驅動特征需要特定的AC-DC恒流驅動電源，為了提高電源能效，LED的驅動電源一般采用單級PFC的拓撲。
如圖一所示，單級PFC的拓撲結構在輸入端整流橋與高壓MOSFET之間沒有高容量的電解電容，在遭遇雷擊浪涌時，浪涌能量很容易傳輸到MOSFET上，高壓MOSFET VDS易過電壓，此時MOSFET很容易發生雪崩現象。在開關電源中，研發工程師要求MOSFET盡可能少發生或不發生雪崩。
雪崩是指MOSFET上的電壓超過漏源極額定耐壓并發生擊穿的現象。圖二為600V MOSFET的安全工作區示意圖，圖中紅色標線為安全工作區的右邊界。雪崩發生時，漏源兩端的電壓超過額定BVDSS，并伴隨有電流流過漏源極，此時MOSFET工作在此邊界的右邊，超出安全工作區（SOA）。
圖二 某600V MOSFET安全工作區（SOA）
如圖三所示雪崩測量電路及波形，一旦超出安全工作區， MOSFET功耗將大增。左圖為雪崩測試的標準電路，右圖為雪崩期間的運行波形。MOSFET在關斷時因VDS電壓過高而進入雪崩狀態，雪崩期間漏源極電壓電流同時存在，其產生的瞬時功耗達到數KW，會大大影響整個電源的可靠性。且雪崩期間，必須保證其溝道溫度不超過額定溝道溫度，否則容易導致器件過溫失效。
圖三 雪崩測量電路及波形
在LED驅動電源，工業控制輔助電源等應用中，電源工程師在設計浪涌防護時，可選擇耐壓更高的MOSFET，耐壓高的器件可將浪涌能量擋在AC 輸入端，讓輸入端口的MOV防護器件來吸收，避免MOSFET超過安全工作區。這樣可以大大提高整機電源的浪涌防護能力。
LED作為21世紀的綠色照明產品，正在大量取代傳統的光源。依托龐大的LED市場，國產器件在SJ MOSFET領域替換進口品牌的潛力極大。維安結合市場和客戶的需求，在產品工藝、封裝上持續創新，針對LED照明領域通用的800V以上耐壓的規格，在產品系列、規格尺寸上也更加齊全。那么，應該如何避免MOSFET應用時的雪崩破壞呢？從浪涌防護的角度來說，電源工程師可以增加AC輸入端浪涌防護元件的規格，使AC前端器件防護元件吸收掉絕大部分浪涌能量，降低浪涌殘壓，如增加壓敏電阻的尺寸、選擇殘壓更低的壓敏以及增加RCD浪涌吸收電路等。另外，亦可選擇更高電流ID或者更高耐壓規格的MOSFET避免其自生發生雪崩，但更高的ID往往意味著更高的成本，故而，選擇更高耐壓規格成為一種更簡易安全且極具性價比的方案。
維安(WAYON)是電路保護元器件及功率半導體提供商。WAYON始終堅持“以客戶為導向，以技術為本，堅持艱苦奮斗”的核心價值觀。致力于通過技術創新引領市場，努力成為全球電路保護元器件及功率半導體的領先品牌。
LED作為新型照明光源，具有高效節能、工作壽命長等優點，目前已廣泛使用于LED顯示、車用電子、生活照明等各種照明場景。LED恒流驅動特征需要特定的AC-DC恒流驅動電源，為了提高電源能效，LED的驅動電源一般采用單級PFC的拓撲。
如圖一所示，單級PFC的拓撲結構在輸入端整流橋與高壓MOSFET之間沒有高容量的電解電容，在遭遇雷擊浪涌時，浪涌能量很容易傳輸到MOSFET上，高壓MOSFET VDS易過電壓，此時MOSFET很容易發生雪崩現象。在開關電源中，研發工程師要求MOSFET盡可能少發生或不發生雪崩。
雪崩是指MOSFET上的電壓超過漏源極額定耐壓并發生擊穿的現象。圖二為600V MOSFET的安全工作區示意圖，圖中紅色標線為安全工作區的右邊界。雪崩發生時，漏源兩端的電壓超過額定BVDSS，并伴隨有電流流過漏源極，此時MOSFET工作在此邊界的右邊，超出安全工作區（SOA）。
圖二 某600V MOSFET安全工作區（SOA）
如圖三所示雪崩測量電路及波形，一旦超出安全工作區， MOSFET功耗將大增。左圖為雪崩測試的標準電路，右圖為雪崩期間的運行波形。MOSFET在關斷時因VDS電壓過高而進入雪崩狀態，雪崩期間漏源極電壓電流同時存在，其產生的瞬時功耗達到數KW，會大大影響整個電源的可靠性。且雪崩期間，必須保證其溝道溫度不超過額定溝道溫度，否則容易導致器件過溫失效。
圖三 雪崩測量電路及波形
在LED驅動電源，工業控制輔助電源等應用中，電源工程師在設計浪涌防護時，可選擇耐壓更高的MOSFET，耐壓高的器件可將浪涌能量擋在AC 輸入端，讓輸入端口的MOV防護器件來吸收，避免MOSFET超過安全工作區。這樣可以大大提高整機電源的浪涌防護能力。
LED作為21世紀的綠色照明產品，正在大量取代傳統的光源。依托龐大的LED市場，國產器件在SJ MOSFET領域替換進口品牌的潛力極大。維安結合市場和客戶的需求，在產品工藝、封裝上持續創新，針對LED照明領域通用的800V以上耐壓的規格，在產品系列、規格尺寸上也更加齊全。那么，應該如何避免MOSFET應用時的雪崩破壞呢？從浪涌防護的角度來說，電源工程師可以增加AC輸入端浪涌防護元件的規格，使AC前端器件防護元件吸收掉絕大部分浪涌能量，降低浪涌殘壓，如增加壓敏電阻的尺寸、選擇殘壓更低的壓敏以及增加RCD浪涌吸收電路等。另外，亦可選擇更高電流ID或者更高耐壓規格的MOSFET避免其自生發生雪崩，但更高的ID往往意味著更高的成本，故而，選擇更高耐壓規格成為一種更簡易安全且極具性價比的方案。
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